根据 TrendForce 存储器储存研究（DRAMeXchange）调查显示，北美数据中心的需求持续强劲，以及 DRAM 供给端产能与制程受限制下，并不能满足整体服务器存储器市场需求，Server DRAM 供不应求的情形在第三季更为显著。受平均零售价（Average Selling Price）垫高带动，三大 DRAM 原厂第三季营收成长约 25.2%。
DRAMeXchange 分析师刘家豪指出，进入第四季，在服务器出货动能不减的情况下，整体 Server DRAM 供不应求的状况将更为明显，Server DRAM 第四季合约价将持续上涨 6% 至 10%，可望带动厂商营收与利润率表现再创新高。
三星（Samsung）
以目前市场规模来看，三星受惠于整体 DRAM 市场占有率与制程技术领先，市场上 Server DRAM 表现格外亮眼。值得一提的是，三星在高容量模组与布局也相对积极，第三季度整体 Server DRAM 营收来到 25.49 亿美元，季增 28.4%，占整体市场约 45.9%。
展望第四季，来自于服务器的需求将达到今年的顶峰，高容量的模组需求也随着新平台导入进而攀升至年度高点，Server DRAM 仍然供不应求。然而，三星现阶段仍然会持续针对各家 OEM / ODM 调整供货达成率，以达成满足主要客户需求与提高获利水位的目标。
制程方面，三星今年 Server DRAM 仍以 20nm 产出为主，18nm 比重在第四季将会提升至 40%，预期至 2018 年第一季底将逾五成，逐渐成为主流产品。在高容量芯片的规划上，三星将会在其 18nm 导入 16Gb mono die 的设计，目前已送样品至英特尔测试，预计在 2018 度第二季导入生产线，预期将大幅改善 Server DRAM 的成本结构，并有利于高容量模组布局。
SK 海力士（SK Hynix）
受惠于北美数据中心备货需求带动，SK海力士第三季营收较第二季大幅成长 30.1% 至 17.92 亿美元，营业利益率也较第二季改善许多。若从制程进展来看，SK 海力士 Server DRAM 仍以 21nm 为主，而 18nm Server DRAM 将会在 2018 年第一季底小量生产，预计在第二季后产能逐步释放，且随着 ODM 认证进度与良率改善下，18nm 产量比重将会进一步提高。从产能规划来看，SK 海力士将会逐渐提高 M14 Phase 1 的产能以及无锡厂 18nm 制程转换，其中 Server DRAM 将占其 DRAM 产品比重逾三成，部分产能将会随着市场需求而略为调整，以维持获利水平。面对服务器订单的热络，除了产品线调整外，SK 海力士也会提高高容量模组如 32G 与 64G 的出货占比，预期明年高容量模组的出货将会提升至六成水位。
美光（Micron）
受到价格持续上涨以及制程微缩所带来的成本效益，美光第三季 Server DRAM 位出货量较前一季度成长，平均销售单价也有局部的跃升，激励 Server DRAM 产品营收成长达 13% 来到 12.07 亿美元。
从产品面来分析，美光在 Server DRAM 的比重仍然维持在近三成水位，现阶段获利的持续增长完全有赖于存储器平均销售单价的提升。展望明年，美光将会随着其 17nm 进展与改善而进行增产；截至目前，其良率已有进一步提升且已送样，但在 Server DRAM 产品线的规划上，仍将会视明年第二季后，良率是否能达到经济规模下才会增加投片，现阶段仍然以既有的 20nm 为主要产品。
